氮化镓（GaN）是直接宽带隙半导体资料，归于第三代半导体。与前两半导体资料比较，第三代半导体资料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱满速度以及更高的抗辐射才能，满意现代电子技能对半导体资料提出的高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器材。

　　氮化镓现在被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频范畴的干流使用，它从一项深邃的技能开展为商场的国家栋梁，这一开展进程交融了多种要素，是其共同发挥作用的成果。氮化镓的功能优势从前一度因高本钱而被抵消，最近，其凭仗在硅基氮化镓技能、供应链优化、器材封装技能以及制作功率方面的杰出前进成功锋芒毕露，成为大多数射频使用中可代替砷化镓和LDMOS的最具本钱竞赛优势的资料。

　　现在第三代半导体器材现已敏捷进入了新能源轿车、光伏逆变、5G基站、PD快充等使用范畴，碳化硅首要使用在新能源轿车和工控等范畴，氮化镓器材首要使用在5G基站等范畴。2020年我国第三代半导体工业电力电子和射频电子总产量超越100亿元，同比增加69.5%。其间，SiC、GaN电力电子产量规划达44.7亿元，同比增加54%；GaN微波射频产量到达60.8亿元，同比增加80.3%。

　　在财税方针方面，第三代半导体同归于集成电路工业，相同享用国家对集成电路企业所得税优惠方针，先后包含2019年5月财政部及税务总局印发的《关于集成电路设计和软件工业企业所得税方针的公告》，针对依法建立且契合条件的集成电路设计企业和软件企业，在2018年12月31日前自获利年度起核算优惠期，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年依照25%的法定税率折半征收企业所得税，并享用至期满停止；并在2020年7月再次推出《新时期促进集成电路工业和软件工业高质量开展的若干方针》，关于国家鼓舞的集成电路设计、配备、资料、封装、测验企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年依照25%的法定税率折半征收企业所得税。2021年3月，《中华人民共和国国民经济和社会开展第十四个五年规划和2035年前景方针大纲》印发，在“集成电路”范畴，特别说到碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体开展。

　　锐观咨询发布的《2023-2028年我国氮化镓（GaN）工业全景查询及出资咨询陈述》共九章。首要介绍了氮化镓的概念、特性、制备办法等，接着剖析了半导体资料和氮化镓工业的全体开展情况。然后陈述从企业竞赛、商场首要类型、使用范畴、国内外企业等方面对氮化镓工业进行了系统解析，最终陈述对氮化镓工业的出资潜力及开展前景进行了科学的猜测。

　　本研究陈述数据首要来自于国家统计局、国家海关总署、商务部、财政部、工信部、工业研究院、工业研究院商场查询中心以及国内外要点刊物等途径，数据威望、详实、丰厚，一起经过专业的剖析猜测模型，对工业中心开展目标进行科学地猜测。您或贵单位若想对氮化镓工业有个系统深化的了解、或许想出资该工业，本陈述将是您不可或缺的重要参阅东西。

　　图表100GaN资料系统（GaN、InGaN和AlGaN）将半导体激光器波长扩展到可见光和紫外波段

　　图表101具有Pd/Pt/Au的传统GaN基激光器结构示意图或具有ITO约束层的GaN基激光器结构示意图

　　图表102（a）氮化镓/蓝宝石模板和（b）GaN自支撑衬底的位错缺点比照（图中暗斑为位错缺点）

　　图表103（a）因为外延结构各层成长条件差异大导致蓝光激光器结构中呈现暗斑缺点；（b）优化成长条件消除暗斑缺点的激光器外延片